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PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd

No 7, Lorong Industri Sungai Lokan 2, Taman Industri Sungai Lokan, 13800 Butterworth
518055 深セン市, 中国
PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd No 7, Lorong Industri Sungai Lokan 2, Taman Industri Sungai Lokan, 13800 Butterworth, 518055 深セン市, 中国

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2.5Gbps Φ80μm OTDR APDチップ

価格: 要望に応じて提示 アバランシェフォトダイオードチップ(APDチップ)は、ゲインを内蔵し、光電流を増幅するアクティブデバイスの一種です。本製品の特長は、上面がアノード、背面がカソードで、光学的な組み立てが容易なΦ80μm...

2.5GbpsΦ70μmデジタル/アナログPIN PDチップ

価格: 要望に応じて提示 2.5Gbpsフォトダイオードチップは、InGaAs/InPプレーナPIN構造、上面入射型デジタル/アナログPDチップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパシタンス、高応答性、低2次...

2.5GbpsΦ70μmデジタル/アナログPIN PDチップ

価格: 要望に応じて提示 この2.5Gbpsフォトダイオードチップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型デジタル/アナログフォトダイオードチップです。低暗電流、低キャパシタンス、高応答性、高信頼性を特長として...

2.5GbpsΦ70μm高応答性デジタル/アナログPIN PDチップ

価格: 要望に応じて提示 この2.5Gbpsフォトダイオードチップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型高応答性デジタル/アナログPDチップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパシタンス、高...

3GHzΦ70μm高応答性デジタル/アナログPIN PDチップ

価格: 要望に応じて提示 この3GHzフォトダイオードチップは、InGaAs/InP PINプレーナ構造の上面入射型3GHz高応答デジタル/アナログPDチップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパシタンス、高...

6GHzΦ70μmアナログPIN PDチップ

価格: 要望に応じて提示 この6GHzフォトダイオードチップは、InGaAs/InP PINメサ構造の上面入射型アナログPDチップで、アクティブエリアはΦ70μmです。低暗電流、低キャパシタンス、高応答性、高信頼性を特長として...

Φ10000μmモニターPDチップ

価格: 要望に応じて提示 上面照射型InGaAsモニターPINフォトダイオードチップは、上面が陽極、背面が陰極のプレーナー構造です。アクティブエリアはΦ10000μmで、900nmから1700nmの波長領域で高い応答性を有しま...

Φ2000μmモニターPDチップ

価格: 要望に応じて提示 この上面入射型InGaAs/InPモニターPINフォトダイオードチップは、上面がアノード、背面がカソードの平面構造で、大面積のアクティブエリアを有しています。アクティブエリアはΦ2000μmで、980...
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プレスリリース

PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd 06.11.2024

2024ミュンヘン・上海オプティカルエキスポ--PHOGRAINエキスポ情報

企業情報
ミュンヘン上海オプティカルエキスポは2024年3月20日から22日まで上海新国際博覧センターで開催されます。PHOGRAIN ブース番号:3176、ホール W3 高速光検出器、光センサーチップとデバイスを展示します。応用分野:アクセスネットワーク、データセンター、量子通信、ライダー、ガスモニタリング...
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